清華大學正式宣布，拜登觸動了「馬蜂窩」

有消息傳出，清華大學宣布其教授吳華強成功研發出全球第一款憶阻器存算一體芯片。根據清華大學公布出的消息來看，這款芯片不僅具備高效片上學習功能柜，能夠對人工智能、自動駕駛等諸多新型產業的發展起到重要的推動作用，甚至是顛覆性的革新，更實現了全系統集成，在各方面都具備強大的性能和綜合實力。

吳華強教授研究團隊的憶阻器存算一體技術是一項重要的突破，其技術針對傳統的馮諾依曼計算架構有著跨越式的突破。這一項技術能夠實現算力、能效、性能等多個方面的巨大提升，并且最重要的是這一項技術還具備強大的學習能力。

不過從目前的情況來看，憶阻器存算一體芯片的生產還要面臨不少的免提，需要解決材料、物理等學科的前沿性研究，并且還要解決大規模集成技術等方面存在的問題。

不過憶阻器存算一體芯片的技術突破從各個方面來說都證明了中國芯在多個領域的迅速發展和突破，最重要的是在許多芯片頂尖領域中國正在逐漸占據優勢。除了憶阻器存算一體芯片技術之外，中國在量子芯片、光子芯片等領域的研究也逐漸走到了世界頂尖水平，一旦實現大規模量產就很有可能完成芯片賽道的彎道超車。

從中國芯的發展情況來看，中國芯想要全方位追趕上國際頂尖水平，除了要在現有的芯片體系當中不斷完成技術突破，追平同美西方之間的技術、制程、設備差距，打造出完整的芯片產業鏈之外，還需要從尖端技術和前沿領域入手。

畢竟在尼康和佳能被稱為光刻機雙子星的時候，ASML的技術水平相比較于尼康和佳能還有很長的差距，正是因為在EUV光刻機的極紫外線浸沒技術方面實現了彎道超車，ASML才能夠超越尼康和佳能成為全球最大的光刻機廠商。

中國芯想要實現技術突破也要將重點放在憶阻器存算一體芯片、量子芯片、光子芯片等前沿領域，只有這樣才能夠更好的把握住技術發展帶來的半導體格局改變。

中國芯實現彎道超車？

中國雖然是全球最大的半導體消費市場，但是在芯片領域的發展起步比較晚，因此在許多頂尖技術方面和美國、日本、韓國等國家相比存在不少的劣勢。例如全球最先進的光刻機已經采用極紫外線技術，可以生產出3nm制程的芯片，可是中國目前的光刻機還停留在90nm制程，上海微電子的28nm光刻機還處于驗證階段。

倪光南院士曾表示：中國芯已經要立足于成熟制程和基礎設備技術。成熟制程是指28nm及以上制程的芯片領域，這一領域的芯片各種技術已經經過了時間的檢驗，更加容易突破，也更容易實現較高的良品率。

事實上，中芯國際等中國芯片廠商一直在致力于成熟芯片的布局和發展，由于新能源汽車等新型產業的崛起，對于28nm及以上制程的成熟芯片需求也正在不斷提升當中。根據相關數據顯示，28nm及以上制程的成熟芯片市場潛力和需求已經跟7nm及以下的頂尖芯片的市場需求和潛力相差不多了。

中國芯想要實現技術突破也需要從設備入手。如今全球半導體設備的市場份額主要被美國、日本、荷蘭占據，這三個國家占據了全球半導體設備市場80%以上的市場份額，掌握了許多頂尖技術。

由于三方協議的限制，中國芯片廠商很難從國外進口先進芯片，因此發展半導體設備是必不可少的。

除此之外，中國芯也需要在量子芯片、光子芯片等領域加大研發投入，從目前半導體產業的發展情況來看，傳統的硅基芯片發展必然會走到芯片，到時候量子芯片和光子芯片就成為的重要的發展方向。

從目前的情況來看，中國芯在量子芯片方面的技術研發已經走到了全球領先水平，全球第一條大規模量產的量子芯片產業鏈也在中國。

中國芯想要實現彎道超車不僅需要在傳統芯片領域不斷前行，也需要在一些先進技術領域加強研發投入。