英特爾掀開了臺積電、三星的遮羞布?將7nm改成4nm工藝

一直以来,很多业内人士对台积电、三星的工艺制程,是持怀疑态度的,那就是5nm是真的5nm么?3nm又是真的3nm么?

 

 

要知道在专业人士的认识中,芯片工艺是多少XXnm,是指从源极到漏极(也就是栅极宽度)是多少XXnm,这是一一对应的。

 

 

而很多人去分析台积电、三星的先进工艺芯片,发现并没有一一对应起来,所以才产生了这样怀疑。

 

 

而事实上,之前高通就表示过,别太相信代工厂的工艺,他们喜欢将数字弄得小一点,台积电、三星都有类似问题,只有英特尔是清白的。

 

 

但真正承认这个问题的,还是台积电自己,在2019年的时候,台积电的技术研究副总经理黄汉森就表示过,XXnm其实与晶体管栅极已经不是绝对相关了。

 

 

意思就是现在的XXnm,更多的还是晶圆厂自己来定义的,并不是一定就指栅极宽度是XXnm。

 

 

这事情就有意思了,所以我们发现,不同的晶圆厂,在相同的芯片工艺上,晶体管密度不一样,如下图所示,大家可以清楚得看到。

 

 

同样是7nm,台积电工艺可以达到0.97亿个晶体管每平方毫米,而三星只有0.95亿个每平方毫米,但英特尔可以达到1.8亿个每平方毫米,而越到后面,差距越大,特别是三星,相比友商,密度越来越小。

 

 

这对于英特尔而言是非常不利的,毕竟大家只看表面的工艺,那么英特尔怎么办?于是也想了一招,不再将工艺严格对应栅极宽度了,于是改名。

 

 

比如英特尔就将原本的7nm工艺,改成Intel 4,对应的其实也就是台积电、三星的4nm工艺。

 

 

近日,在2022 IEEE VLSI研讨会上,Intel正式表示,Meteor Lake移动版和桌面处理器将采用Intel 4工艺(本质是7nm工艺)。

 

 

而从其公布的参数来看,其晶体管密度等指标方面,所谓的intel4,基本上与台积电的4nm工艺相接近,高于三星的4nm,我们完全可以认为是等同于4nm EUV工艺。

 

 

同时intel也表示,Intel 4相较于Intel 7(其实是10nm的12代酷睿),同等功耗下的频率可以高出20%。

 

 

不得不说,英特尔终于也学聪明了,学会了台积电、三星的营销游戏,不再死守规则,硬要将栅极宽度与XXnm对应起来了。

 

 

不过英特尔的这一举动,也算是掀开了台积电、三星在工艺上的遮羞布了,你觉得呢?不过接下来,三大厂都这么干了,也就不存在遮羞布这一说,天下乌鸦一般黑了啊。

 

 

问题来了,后续还有谁来掀开这块遮羞布了呢?